美国南加州大学研究团队开发出一种基于忆阻器的新型高精度模拟芯片架构，旨在结合数字计算的精度和模拟计算的节能和高速优势。

忆阻器（memristor）是一种被动电子元件，如同电阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。通过调整忆阻器参数，研究团队实现了前所未有的调节精度，并设计出一种新的电路和架构，使得模拟设备的编程更加快速和精确。这种创新不仅适用于神经网络等传统低精度领域，还可扩展至其他存储技术领域，如磁性存储器和相变存储器。这种技术创新不仅提高了模拟计算的效率和速度，还能为人工智能和机器学习等领域带来更多应用可能性。相关研究成果发表于《科学》（Science）杂志。

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